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FGA70N33BTDTU

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Numero di parte FGA70N33BTDTU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 330V 149W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5479 pcs
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Numero di parte FGA70N33BTDTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 330V 149W TO3P Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5479 pcs Scheda dati FGA70N33BTD
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 330V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.7V @ 15V, 70A Condizione di test -
Td (on / off) @ 25 ° C - di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 23ns Potenza - Max 149W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT Trench
carica gate 49nC Descrizione dettagliata IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 220A

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