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FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU
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Numero di parte FGA25N120ANTDTU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 37317 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs450 pcs900 pcs1350 pcs
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Numero di parte FGA25N120ANTDTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 50A 312W TO3P Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 37317 pcs Scheda dati FGA25N120ANTDTU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.65V @ 15V, 50A Condizione di test 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 50ns/190ns di scambio energetico 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 350ns Potenza - Max 312W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT NPT and Trench carica gate 200nC
Descrizione dettagliata IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P Corrente - collettore Pulsed (Icm) 90A
Corrente - collettore (Ic) (max) 50A Numero di parte base FGA25N120A

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