FFSH2065BDN-F085
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| Numero di parte | FFSH2065BDN-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | 650V 20A SIC SBD GEN1.5 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 450 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.016 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FFSH2065BDN-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | 650V 20A SIC SBD GEN1.5 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 12247 pcs | Scheda dati | FFSH2065BDN-F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.7V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 650V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky | Descrizione dettagliata | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 40µA @ 650V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 10A (DC) |
| Capacità a Vr, F | 421pF @ 1V, 100kHz |
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- Parte#:
SSQ-112-22-L-D - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
2MM SOCKET STRIPS - Disponibile:
28222