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Numero di parte FDU7N60NZTU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 74887 pcs
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Numero di parte FDU7N60NZTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V SGL IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 74887 pcs Scheda dati FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie UniFET-II™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)

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