FDMS2D5N08C
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| Numero di parte | FDMS2D5N08C |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.842 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | FDMS2D5N08C | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 43212 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 380µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Power56 | Serie | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 68A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 138W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Produttore tempi di consegna standard | 39 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6240pF @ 40V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 166A (Tc) 138W (Tc) Surface Mount Power56 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 166A (Tc) |
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