FDG6322C_D87Z
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| Numero di parte | FDG6322C_D87Z |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FDG6322C_D87Z | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4192 pcs | Scheda dati | FDG6322C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V | Potenza - Max | 300mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA, 410mA |
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