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FDD770N15A

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Numero di parte FDD770N15A
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 118681 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte FDD770N15A fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N CH 150V 18A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 118681 pcs Scheda dati FDD770N15A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 77 mOhm @ 12A, 10V Dissipazione di potenza (max) 56.8W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi FDD770N15ADKR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 765pF @ 75V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione dettagliata N-Channel 150V 18A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount D-Pak Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

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