FDD16AN08A0-F085
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| Numero di parte | FDD16AN08A0-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.637 | $0.564 | $0.446 | $0.346 | $0.273 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FDD16AN08A0-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72354 pcs | Scheda dati | FDD16AN08A0_F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 16 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 135W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | FDD16AN08A0-F085CT FDD16AN08A0_F085CT FDD16AN08A0_F085CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1874pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
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