FDB42AN15A0-F085
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| Numero di parte | FDB42AN15A0-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.465 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FDB42AN15A0-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 69747 pcs | Scheda dati | FDB42AN15A0_F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) | Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 42 mOhm @ 12A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | FDB42AN15A0-F085TR FDB42AN15A0_F085 FDB42AN15A0_F085TR FDB42AN15A0_F085TR-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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- Parte#:
NGTD8R65F2WP - Produttori:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - Descrizione:
DIODE GEN PURP 650V DIE - Disponibile:
98731