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FCPF7N60YDTU

FCPF7N60YDTU
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Numero di parte FCPF7N60YDTU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 109499 pcs
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Numero di parte FCPF7N60YDTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 109499 pcs Scheda dati FCP7N60, FCPF7N60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming) Serie SuperFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

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