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FCPF400N80ZL1

FCPF400N80ZL1
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Numero di parte FCPF400N80ZL1
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 48281 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte FCPF400N80ZL1 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 11A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 48281 pcs Scheda dati FCPF400N80ZL1
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 Serie SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 35.7W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800V Descrizione dettagliata N-Channel 800V 11A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

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