FCH190N65F-F155
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| Numero di parte | FCH190N65F-F155 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | 1350 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.043 | $1.826 | $1.351 | $1.095 | $1.022 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCH190N65F-F155 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 31001 pcs | Scheda dati | FCH190N65F_F155 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads | Serie | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | FCH190N65F_F155 FCH190N65F_F155-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3225pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) |
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