FCH099N65S3-F155
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| Numero di parte | FCH099N65S3-F155 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | SF3 650V 99MOHM E TO247L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 450 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.823 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCH099N65S3-F155 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | SF3 650V 99MOHM E TO247L | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 17221 pcs | Scheda dati | FCH099N65S3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 | Serie | SuperFET® III |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Stato senza piombo | Lead free |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2480pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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