BC639ZL1G
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| Numero di parte | BC639ZL1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | TRANS NPN 80V 1A TO-92 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BC639ZL1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN 80V 1A TO-92 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3960 pcs | Scheda dati | BC637, 39, 39-16 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 80V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | Tipo transistor | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | - |
| Potenza - Max | 625mW | imballaggio | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Altri nomi | BC639ZL1G-ND BC639ZL1GOSTB BC639ZL1GOSTR BC639ZL1GOSTR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 200MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 1A | Numero di parte base | BC639 |
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