5LN01C-TB-H
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| Numero di parte | 5LN01C-TB-H |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 50V 100MA CP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 5LN01C-TB-H | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 50V 100MA CP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4969 pcs | Scheda dati | 5LN01C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 3-CP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V | Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6.6pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.57nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V | Tensione drain-source (Vdss) | 50V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
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