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3LP01C-TB-E

3LP01C-TB-E
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Numero di parte 3LP01C-TB-E
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5189 pcs
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Numero di parte 3LP01C-TB-E fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 30V 100MA CP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5189 pcs Scheda dati 3LP01C
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 10.4 Ohm @ 50mA, 4V Dissipazione di potenza (max) 250mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7.5pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.43nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)

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