2SK3816-DL-E
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| Numero di parte | 2SK3816-DL-E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK3816-DL-E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4454 pcs | Scheda dati | 2SK3816 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SMP-FD | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.65W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1780pF @ 20V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount SMP-FD | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
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