2SK3666-2-TB-E
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| Numero di parte | 2SK3666-2-TB-E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | JFET NCH 30V 200MW 3CP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.032 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK3666-2-TB-E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | JFET NCH 30V 200MW 3CP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 791046 pcs | Scheda dati | 2SK3666 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 3-CP | Serie | - |
| Resistenza - RDS (on) | 200 Ohms | Potenza - Max | 200mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | 2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Scolo corrente (Id) - Max | 10mA | Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
| Numero di parte base | 2SK3666 |
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