2SD1060S-1E
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| Numero di parte | 2SD1060S-1E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | TRANS NPN 50V 5A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.522 | $0.442 | $0.363 | $0.30 | $0.237 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SD1060S-1E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN 50V 5A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 101627 pcs | Scheda dati | 2SD1060 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A | Tipo transistor | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 | Serie | - |
| Potenza - Max | 1.75W | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 30MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 5A |
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