1N483B_T50R
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| Numero di parte | 1N483B_T50R |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N483B_T50R | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4472 pcs | Scheda dati | 1N483B |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1V @ 100mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 80V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-35 |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 175°C (Max) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 25nA @ 60V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 200mA |
| Capacità a Vr, F | - | Numero di parte base | 1N483 |
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