1N4448_T50R
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| Numero di parte | 1N4448_T50R |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N4448_T50R | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4666 pcs | Scheda dati | 1N/FDLL 914/A/B, 916/A/B, 4148, 4448 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1V @ 100mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 100V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-35 |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 4ns | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DO-204AH, DO-35, Axial | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5µA @ 75V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 200mA | Capacità a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Numero di parte base | 1N4448 |
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