1N4152_T50A
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| Numero di parte | 1N4152_T50A |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | 1N4152_T50A | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5309 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 880mV @ 20mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 40V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-35 |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 4ns | imballaggio | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro | DO-204AH, DO-35, Axial | Temperatura di funzionamento - Giunzione | 175°C (Max) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 40V 200mA Through Hole DO-35 | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 50nA @ 30V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 200mA | Capacità a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Numero di parte base | 1N4152 |
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