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1N4150_T50A

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Numero di parte 1N4150_T50A
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4829 pcs
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Numero di parte 1N4150_T50A fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4829 pcs Scheda dati 1N4150, FDLL4150
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1V @ 200mA
Tensione - inversa (Vr) (max) 50V Contenitore dispositivo fornitore DO-35
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 6ns imballaggio Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro DO-204AH, DO-35, Axial Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 Corrente - Dispersione inversa a Vr 100nA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io) 200mA Capacità a Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz
Numero di parte base 1N4150

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  • Parte#:1N4151
  • Produttori:Microsemi
  • Descrizione:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
  • Disponibile:74605
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  • Parte#:1N4150UR-1
  • Produttori:Microsemi
  • Descrizione:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
  • Disponibile:99503
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