APTM50DAM19G
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| Numero di parte | APTM50DAM19G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $37.815 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM50DAM19G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 798 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM50DAM19G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 10mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1136W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP6 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 492nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 163A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 163A (Tc) |
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