APTM50AM70FT1G
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| Numero di parte | APTM50AM70FT1G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM50AM70FT1G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4511 pcs | Scheda dati | APTM50AM70UT1GPower Products Catalog |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 84 mOhm @ 42A, 10V | Potenza - Max | 390W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP1 |
| Altri nomi | APTM50AM70UT1G APTM50AM70UT1G-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 50A 390W Chassis Mount SP1 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
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