TSM35N10CP ROG
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| Numero di parte | TSM35N10CP ROG |
|---|---|
| fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.393 | $0.349 | $0.276 | $0.214 | $0.169 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TSM35N10CP ROG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 135883 pcs | Scheda dati | TSM35N10 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 37 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 83.3W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TSM35N10CP ROGCT TSM35N10CP ROGCT-ND TSM35N10CPROGCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard | 30 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1598pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 32A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
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