CSD88539NDT
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| Numero di parte | CSD88539NDT |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.452 | $0.399 | $0.316 | |||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD88539NDT | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 70277 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.6V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V | Potenza - Max | 2.1W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | 296-37796-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A | Numero di parte base | CSD88539 |
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- Parte#:
1825J3K00680FCR - Produttori:
Knowles Syfer - Descrizione:
CAP CER 1825 - Disponibile:
20003