CSD86336Q3D
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| Numero di parte | CSD86336Q3D |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.296 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD86336Q3D | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 66694 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V | Potenza - Max | 6W |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN | temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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