EMB6T2R
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| Numero di parte | EMB6T2R |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.025 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EMB6T2R | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 991606 pcs | Scheda dati | EMB6, UMB6N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | EMT6 | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms | Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 250MHz | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 30mA | Numero di parte base | MB6 |
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