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CDBJSC8650-G

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Numero di parte CDBJSC8650-G
fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 53370 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte CDBJSC8650-G fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 53370 pcs Scheda dati CDBJSC8650-G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 8A
Tensione - inversa (Vr) (max) 650V Contenitore dispositivo fornitore TO-220-2
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns Contenitore / involucro TO-220-2
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2 Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A (DC) Capacità a Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz

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