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CDBGBSC101200-G

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Numero di parte CDBGBSC101200-G
fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 14865 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1020 pcs
$2.485

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Numero di parte CDBGBSC101200-G fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 14865 pcs Scheda dati CDBGBSC101200-G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 5A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V Contenitore dispositivo fornitore TO-247
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns Contenitore / involucro TO-247-3
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Through Hole TO-247-3
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 1200V Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 18A (DC)

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