ALD114904APAL
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| Numero di parte | ALD114904APAL |
|---|---|
| fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.334 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | ALD114904APAL | fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 27696 pcs | Scheda dati | ALD114804,904(A) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 380mV @ 1µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDIP | Serie | EPAD® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 500 Ohm @ 3.6V | Potenza - Max | 500mW |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi | 1014-1061 | temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Tensione drain-source (Vdss) | 10.6V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
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