NTGD4161PT1G
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| Numero di parte | NTGD4161PT1G |
|---|---|
| fabbricante | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTGD4161PT1G | fabbricante | ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5768 pcs | Scheda dati | NTGD4161P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 281pF @ 15V |
| Tensione - Ripartizione | 6-TSOP | Vgs (th) (max) a Id | 160 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Serie | - | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5A | Potenza - Max | 600mW |
| Polarizzazione | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | NTGD4161PT1G | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3V @ 250µA | Caratteristica FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 600mW Surface Mount 6-TSOP | Tensione drain-source (Vdss) | Logic Level Gate |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
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