APTMC60TLM14CAG
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| Numero di parte | APTMC60TLM14CAG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $588.171 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTMC60TLM14CAG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 56 pcs | Scheda dati | APTMC60TLM14CAG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12 mOhm @ 150A, 20V | Potenza - Max | 925W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP6 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 483nC @ 20V | Tipo FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 219A (Tc) |
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